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電漿表面工程實驗室

                                                                                                                                           

負責人

張奇龍 老師

負責人分機

4459

地點

薄膜中心2館1F

實驗室分機

4395

簡介

Ø  本實驗室以表面工程、真空電漿、真空鍍膜技術與系統整合為技術發展核心,產學合作與技術移轉為主要服務目的。

Ø  本實驗室提供相關企業技術諮詢或執行企業委託研究案。

Ø  本實驗室提供相關企業技術提升與系統整合委託計畫案。

Ø  本實驗室提供學校及相關企業之人才教育訓練。

本實驗室提供業界代工鍍膜服務需求。

                  

                      

研究遠景

本實驗室以發展各類功能性薄膜為主,並整合真空電漿製程設備與分析儀器,可提供完整理論教學與實務學習之環境,提升新穎之學術研究、產學發展。本實驗室已開發各種刀、模具和機械零組件上被覆處理之多種超硬陶瓷薄膜製程技術、最新高階工業化真空鍍膜製程設備與關鍵真空鍍膜儀器組件,可應用在不同的領域,達到耐磨損、耐高溫氧化、抗腐蝕、抗沾黏、抗EMI、抗菌及色彩裝飾等多重目的。適用行業包括精密機械加工製造業、塑膠射出加工業、光電及半導體、生醫產業與食品製造工業等。

 

 

 

      

管理者:楊復期(#4395)、黃竣鴻 (#4395)、謝鎮宇 (#4395)

設備原理

   本系統為本實驗室最新鍍膜系統,系統主要以陰極電弧沉積技術(Cathodic Arc Deposition)與磁控濺鍍技術(magnetron Sputtering Deposition)組成,能單獨以陰極電弧沉積技術或磁控濺鍍技術製備各式金屬氮(碳)化物。且磁控濺射源可搭配不同電源衍伸不同製程技術,例如:直流脈衝磁控濺鍍、高功率脈衝磁控濺鍍(HiIMS)等。本系統最大特色是結合二種電漿源的複合式製程技術,並在在反應性鍍膜製程中搭配電漿光譜回饋控制系統(OES),進行製程控制可獲得優於單一製程之薄膜品質。

                   

規格:

1.設備總體積: 2620(W)*2440(L)*2205(H) mm

2.腔體容積: ϕ 900 mm * 1000 mm H

3.電漿源: ARC * 4 sets + Sputter * 2 sets

4.極限真空: 5*10-8 torr (1 hour)

5.加熱器: 8 kW * 4 sets

6.乘載重量: 300 KG

 

 

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