負責人：李志偉 主任
負責人分機：4437
地點：電漿薄膜中心1館1F
實驗室分機：4475

簡介

       本實驗室以物理氣相沉積研究為重點，使用兩套磁控濺鍍設備，其中一套為連續式鍍膜設備，除了裝配一台離子槍作為輔助沉積之外，同時使用兩台脈衝直流電源與一台射頻電源來提供三支六吋靶槍之濺鍍電源，以及一台射頻電源作為基材偏壓；透過本設備將可研究離子束輔助沉積技術、脈衝直流電源技術以及相關製程參數對電漿密度與薄膜特性的影響。

       第二套批次式鍍膜設備使用各兩台脈衝直流電源與射頻電源提供四支5 吋X 12吋長方形靶槍之濺鍍電源，並以直流電源作為基材偏壓，試片置於四靶槍中間的基材放置架上，可做各種角度的公轉與自轉，因此可在具有三維形貌的元件上鍍製各種薄膜，並能透過電漿放射監控裝置，回饋控制製程氣體流量，以獲得預期之薄膜品質。

研究遠景

本實驗室將進行之薄膜研究包括以下種類：
(1)材質分類：金屬薄膜、金屬玻璃薄膜、合金薄膜、氮化物薄膜、氧化物薄膜、碳化物薄膜與、碳氮化物薄膜與氮氧化物薄膜等。
(2)用途分類：抗電磁波輻射薄膜、透明導電氧化物薄膜、導電金屬膜、抑菌薄膜、高硬度氮化物薄膜、彩色薄膜等。
(3)結構分類：奈米結晶結構薄膜、奈米複合薄膜、奈米多層薄膜。
本實驗室設備將可提供本校各相關系所師生進行高密度電漿鍍膜的研究，同時可進行
跨校的學術合作與產學合作服務，同時亦可整合本中心其他實驗室設備製作太陽能光
電薄膜元件以及各種類的光電、半導體、磁性、光學與機械領域應用的薄膜。